Iatsunskyi, Igor R.Smyntyna, Valentyn A.Pavlenko, Mykola V.Яцунский, Игорь РостиславовичСмынтына, Валентин АндреевичПавленко, Николай НиколаевичЯцунський, Ігор РостиславовичСминтина, Валентин АндрійовичПавленко, Микола Миколайович2014-01-252014-01-252013Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4318Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2013. - англ.The reflectance properties of various porous silicon structures after ammonia adsorption were investigated. It was shown that increasing of ammonia concentration in the measurement chamber leads to an increase of the optical reflectance. The most sensitive structures for ammonia detection are porous silicon having approximately size of pores - 10-15 um.Было исследовано оптическое отражение различных пористых структур кремния после адсорбции аммиака. Показано, что повышение концентрации аммиака приводит к увеличению оптического отражения. Наиболее чувствительными структурами для детектирования аммиака является пористый кремний, имеющий размер пор - 10-15 мкм.Було досліджено оптичне відбиття різних поруватих структур кремнію після адсорбції аміаку. Показано, що підвищення концентрації аміаку призводить до збільшення оптичного відбиття. Найбільш чутливими структурами для детектування аміаку є поруватий кремній, що має розмір пор - 10-15 мкм.enporous siliconadsorptionreflectanceammoniaпористый кремнийадсорбцияоптическое отражениеаммиакпоруватий кремнійадсорбціяоптичне відбиттяаміакArticle