Glushkov, Oleksandr V.Lepikh, Yaroslav I.Florko, Tetyana A.Kvasikova, A. S.2019-03-272019-03-2720146-та Міжнародна наукова-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"(СЕМСТ-6) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), Україна, Одеса, 29 вересня - 3 жовтня 2014 р. : тези доповідей : Конф. присвяч.150-й річниці Одеського нац. ун-ту ім. І.І. Мечникова і 100-річчю науки про напівпровідники / гол. ред.: В. А. Сминтина; редкол.: О. Є. Бєляєв [та ін.]; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, Одеський нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. – Одеса : Астропринт, 2014. – 265 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23374At present, an intensive studying semiconductor quantum wells, quantum wires, and quantum dots is provided by a set of factors, including a great progress in ultrashort-pulse spectroscopy methods together with increasing effectiveness in crystal-growth techniques of various quantum confined systems. Above very complex and actual problems of modem nano-electronics one could note the optical Stark effect, of quantum beats, and of the photon echo in the bulk and quantum well semiconductors.enfield DCintensive studyingsemiconductor quantumArticle