Птащенко, Олександр ОлександровичПтащенко, Федір ОлександровичПтащенко, Александр АлександровичPtashchenko, Oleksandr O.2018-02-272018-02-272003Вісник Одеського національного університету = OdesaNationalUniversityHeraldhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12951Проведено двовимiрнi чисельнi розрахунки розподiлу потенцiалу i густини струму в p-n структурах на основi GaAs з урахуванням поверхневоi рекомбiнацii та викривлення зон пiд дiсю адсорбованих iонiв. Дiя адсорбованих iонiв, локалiзованих на поверхнi власного оксиду, врахована в граничних умовах наявнiстю сильного поверхпевого електричного поля. Розрахунки пiдтверджують модель створення поверхпевого провiдного каналу пiд дiсю iонiв i виявляють ряд особливостей його параметрiв.Проведены двумерные численные расчеты распределения потенциала и плотности тока в p-n структурах на основе GaAs с учетом поверхностной рекомбинации и искривления зон под действием адсорбированных ионов. Действие адсорбированных ионов, локализованных на поверхности- собственного оксида, учтено в граничных условиях наличием сильного nоверхностного электрического nоля. Расчеты подтверждают модель образования поверхностного nроводящего канала под действием ионов и обнаруживают ряд особенностей его параметров.Two-dimensional numerical calculations of potential- and current density distributions in p-n structures оп GaAs were performed taking into account surface recomblnation, as well as the band bending due to adsorbed ions. The action ofadsorbed ions, located on the surface ofthe natural oxide, was described in the Ьoundary condition Ьу the presence of а strong surface electric field. The calculations reinforce the model of the surface conductive channel forming due to the ions and reveal some features of its parametersukповерхневі провідні каналиадсорбція іонівповерхностные проводящие каналыадсорбция ионовsurface conductive channelsadsorption of ionsArticle