Птащенко, Александр АлександровичПтащенко, Федор АлександровичPtashchenko, Oleksandr O.Птащенко, Олександр Олександрович2018-05-312018-05-311999Фотоэлектроника = PhotoelectronicsУДК 621.319https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16401Изучено угловое распределение Фф(ф) (в плоскости, перпендикулярной к р-п-пере- ходу) в дальнем поле и ближнее поле излучения полупроводниковых лазеров с полосковой геометрией на основе GaAs-AlGaAs. Наблюдались осцилляции Фф(<р) для излучения ТЕ моды и отсутствовали в ТМ моде. Тонкая структура Ф9(ср) объясняется неоднородностью показателя преломления в резонаторе и может быть использована для оценки данной неоднородности.ruизлучение полупроводникового лазераугловое распределение излучениядиодный лазерArticle