Калиниченко, Л. Ф.Терлецкая, Л. Л.2018-09-052018-09-052003Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/18608Квантовая эффективность электролюминесценции светоизлучающих структур на основе арсенида галлия и тройных соединений GaAs1-х Pх и Ga1-хAlхAs при изменении температуры от 77 К до 340 К уменьшается на порядок.ruквантовая эффективностьэлектролюминесценцияполупроводниковые структурыТемпературное гашение электролюминесценции в полупроводниковых структурах на основе соединений А3В5Article