Smyntyna, Valentyn A.Kulinich, O. A.Iatsunskyi, Igor R.Marchuk, I. A.Смынтына, Валентин АндреевичКулинич, О. А.Яцунский, Игорь РостиславовичМарчук, И. А.2010-09-062010-09-062010Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/189Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.Factors influencing the yield stress of silicon are investigated with advanced research methods. It is shown that elastic stresses which are concentrated at the structural defects (dislocation, crystalline grain boundary, dendrite and lamella) will influence on the yield stress of silicon. Используя современные методы исследования, определенны факторы, влияющие на величину порога пластичности монокристаллического кремния. Наряду с известными факторами, величина порога пластичности будет зависеть от упругих напряжений, локализованных в области нахождения структурных дефектов.siliconstructural defectsthe yield stressкремнийструктурные дефектыпорог пластичностиArticle