Борщак, Віталій АнатолійовичБалабан, А. П.Борщак, Виталий АнатольевичБалабан, А. П.Borshchak, Vitalii A.Balaban, A. P.2010-09-082010-09-082008Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/219Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2008.Проведено исследование фотоэлектрических характеристик элементов памяти на основе неидеального гетероперехода. Применение понятий сенситометрии к твердотельным элементам памяти позволило получить универсальное выражение для характеристической кривой сенсора, которое хорошо согласуется с экспериментальными данными и может быть использовано при исследовании сенситометрических характеристик подобных приборов. Сделан вывод о том, что сенсор на основе неидеального гетероперехода можно охарактеризовать с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических материалов. Проведено дослідження фотоелектричних характеристик елементів пам’яті на основі неідеального гетеропереходу. Застосування понять сенситометрії до твердотільних елемент ів пам’яті дозволило одержати універсальний вираз для характеристичної кривої сенсора, який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Зроблено висновок, що сенсор на основі неідеального гетеропереходу можна охарактеризувати за допомогою класичних сенситометричних характеристик, які розроблені для фотографічних матеріалів. The memory elements on the basis of nonideal heterojunction photoelectric characteristics have been researched. The sensitometry concepts application to the solid-state memory elements has allowed receiving universal expression for a sensor characteristic curve which coordinate well with the experimental data and can be used at similar devices sensitometric characteristics research. The conclusion that the sensor on the basis of nonideal heterojunction can be characterized with the help of classical sensitometric characteristics developed for photographic materials is made.enгетеропереходсенситометрияэлемент памятисенсор изображенияфотоматериалыгетероперехідсенситометріяелемент пам'ятісенсор зображенняфотоматеріалиheterojunctionsensitometrymemory elementimage sensorphotographic materialsArticle