Myndrul, Valerii B.Bak, A. Yu.Karakis, Yurii M.Kutalova, Mariia I.Zatovska, Nataliia P.Zubrytskyi, Serhii V.Мындрул, Валерий БорисовичБак, А. Ю.Каракис, Юрий НиколаевичКуталова, Мария ИвановнаЗатовская, Наталия ПетровнаЗубрицкий, Сергей ВсеволодовичМиндрул, Валерій БорисовичКаракіс, Юрій МиколайовичКуталова, Марія ІванівнаЗатовська, Наталія ПетрівнаЗубрицький, Сергій Всеволодович2014-01-252014-01-252013Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4327The particularities of contact influence on processes of current rise in crystal at the expense of nonequilibrium charge were investigated. The procedure to determine carrier active mobility for the case of considerable asymmetry in their velocity distribution was developed.Изучены особенности влияния контактов на процессы формирования тока в кристаллах за счёт неравновесного заряда. Указан способ определения действующей подвижности носителей для случая значительной несимметрии их распределения по скоростям.Розглянуто особливості впливу контактів на процеси формування струму в кристалі за рахунок нерівноважного заряду. Вказано засіб визначення дієвої рухливості носіїв у випадку значної несіметрії їх розподілу за швидкостями.enthe contactsthe currentthe mobilitythe crystalsтокконтактыкристаллыподвижностьструмконтактикристалирухливістьArticle