Курмашев, Шамиль ДжамашевичВикулин, Иван МихайловичБеньковский, П. В.2019-03-282019-03-282010"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23380В работе изучались кремниевые фотоприемники (фоторезисторы и инжекционные фотодиоды), изготовленные из компенсированного материала (Si<Au>), подвергнутые облучению потоками быстрых электронов. Радиационная стойкость фотоприемников в первую очередь определяется степенью деградации значений удельной обнаружительной способности и фоточувствительности. Обнаружено, что низкотемпературный край нормированных спектров относительной фоточувствительности, зарегистрированных при температурах 77 и 100 К, для фотоприемников до и после облучения быстрыми электронами с интегральным потоком 3·1015 см-2, смещается в длинноволновую сторону (участок спектра собственной фоточувствительности). Это можно связать с образованием новых энергетических уровней в запрещенной зоне кремния. В то же время коротковолновый край участка спектра примесной фоточувствительности смещается в высокоэнергетическую сторону спектра. Величины абсолютных значений обнаружительной способности и фоточувствительности резко уменьшаются. Уменьшается также быстродействие, т.к. при облучении сопротивление эквивалентного фоторезистора увеличивается.. Отмечена высокая чувствительность коэффициента фотоэлектрического усиления к облучению быстрыми электронамиruфотоприемникфоточувствительностьоблучение быстрыми электронамиArticle