Єрьомін, Олексій Володимирович2023-06-092023-06-092022Єрьомін, О. В. Вплив довготривалої сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію / О. В. Єрьомін. – Одеса, 2022. – 41 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/35448Мініатюризація напівпровідникових пристроїв збільшує вплив поверхневих явищ на їхні характеристики та деградаційну стійкість, що особливо відчутно для напівпровідників групи АІІІВV, таких як GaAs. Через це виникає необхідність усунення дефектів та оксидів з поверхні та її захисту від впливу зовнішніх чинників. Сульфідна обробка поверхні є одним із методів, який дозволяє в одному технологічному циклі виконати обидві операції. Сульфідна обробка має і інші переваги, зокрема, спостерігалося покращення характеристик p–n та МДН структур, сонячних елементів та напівпровідникових лазерів. Проте немає систематичних досліджень, які були б присвячені впливу різної тривалості обробки з сульфідних розчинів на зміну характеристик напівпровідникових приладів. Мета даної роботи — дослідити механізми впливу сульфідної обробки поверхні з різною тривалістю на спектри фотоструму p–n переходів на основі GaAs і пояснити спостережувані відмінності.uk105 прикладна фізика та наноматеріалисульфідна обробкаарсенід галіюнапівпровідникові приладидіодиDiplomas