Алешин, Алексей НиколаевичЛяшевская, В. А.Мандель, В. Е.Павлов, С. С.Пастернак, Валерий АлександровичТюрин, Александр ВалентиновичТюрін, Олександр ВалентиновичTyurin, Oleksandr V.2018-09-042018-09-042002Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/18588Изучены кинетические и вольтамперные характеристики тонких поликристаллических пленок сульфида свинца, полученных методом пульверизации. Обнаружено, что для ряда пленок наблюдается сверхлинейная зависимость темнового тока при малых ­ напряжениях порядка 1...10 В. Выявлено, что на данном отрезке напряжений ток дырок определяется свойствами прослойки и возможностью туннелирования дырок сквозь нее. Показано, что предложенная в работе методика исследования температурных зависимо­стей постоянной времени релаксации темнового тока на П-импульсах прикладываемого напряжения позволяет изучать в данных пленках не только омическую, но и емкостную проводимость, обусловленную релаксацией объемного заряда на межкристаллитных про­слойках. При помощи данной методики в межкристаллитных прослойках установлено наличие двух квазилокальных энергетических акцепторных состояний.ruпульверизациятуннелированиерелаксациямежкристаллитные прослойкиArticle