Borshchak, Vitalii A.Kutalova, Mariia I.Smyntyna, Valentyn A.Balaban, Andrii P.Brytavskyi, Yevhen V.Zatovska, Nataliia P.Борщак, Виталий АнатольевичКуталова, Мария ИвановнаСмынтына, Валентин АндреевичБалабан, Андрей ПетровичБритавский, Евгений ВикторовичЗатовская, Наталия ПетровнаБорщак, Віталій АнатолійовичКуталова, Марія ІванівнаСминтина, Валентин АндрійовичБалабан, Андрій ПетровичБритавський, Євген ВікторовичЗатовська, Наталія Петрівна2010-09-062010-09-062010Nonideal heterojunction conductivity / V. A. Borschak, M. I. Kutalova, V. A. Smyntyna, A. P. Balaban, Ye. V. Brytavskyi, N. P. Zatovskaya // Photoelectronics. – 2010. – Iss. 19. – P. 22–24.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/194CdS-Cu2S heterojunction conductivity both on continuous, and on an alternating current strongly depends on barrier parameters which can vary under illumination influence. It is established, that space charge region resistance essentially depends on its width (this dependence is close to linear) at fixed barrier height. It can testify to prevalence of tunnel multistage mechanisms of transfer over researched structure, for example, tunnel-jumping conductivity.Проводимость гетероструктуры CdS-Cu2S как на постоянном, так и на переменном токе сильно зависит от параметров барьера, которые могут меняться под действием освещения. Установлено, что сопротивление области пространственного заряда существенно зависит от ее ширины (эта зависимость близка к линейной) при неизменной высоте барьера. Это может свидетельствовать о преобладании туннельных многоступенчатых механизмов переноса в исследуемой структуре, например, туннельно-прыжковой проводимости.Провідність гетероструктури CdS-Cu2S як на постійному, так і на змінному струмі сильно залежить від параметрів бар'єра, які можуть мінятися під впливом освітлення. Встановлено, що опір області просторового заряду істотно залежить від її ширини (ця залежність близька до лінійної) при незмінній висоті бар'єра. Це може свідчити про перевагу тунельних багатоступінчатих механізмів переносу в структурі, що досліджується, наприклад, тунельно-стрибкової провідності.enheterojunctionbarriertunnel-jumping conductivityгетероперехідбар'єртунельно-стрибкова провідністьгетеропереходбарьертунельно-прыжковая проводимостьArticle