Мокрицький, В. А.Лепіх, Ярослав ІллічПашков, О. С.Mokritsky, V. A.Lepikh, Yaroslav I.Pashkov, A. S.Мокрицкий, В. А.Лепих, Ярослав ИльичПашков, А. С.2010-09-072010-09-072007Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіeshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/203Досліджено властивості вікон сенсорів ІЧ діапазону, що використовуються для фотоприймач ів, які працюють в умовах жорсткого випромінювання. Досліджено зміну властивостей вікон з кристалів германія, арсеніду галія, антимоніду індія. Показано, що такі зміни залежать від вихідних властивостей та появи структурних дефектів. Properties of IR sensor windows which are used for the photodetectors working in conditions of hard radiation are investigated. Germanium, gallium arsenide and indium antimonide crystals windows property change is investigated. It is shown, that such changes depend on initial properties and occurrence of structural defects. Исследованы свойства окон сенсоров ИК диапазона, которые используются для фотоприемников, работающих в условиях жосткого излучения. Исследовано изменение свойств окон из кристаллов германия, арсенида галлия, антимонида индия. Показано, что такие изменения зависят от исходных свойств и появления структурных дефектов.напівпровідникоптичне вікнодефектінфрачервоне випромінюванняsemiconductoroptical windowdefectinfra-red radiationполупроводникоптическое окнодефектинфракрасное излучениеArticle