Smyntyna, Valentyn A.Kulinich, O. A.Glauberman, Mykhailo A.Chemeresiuk, Heorhii H.Yatsunskiy, I. R.Смынтына, Валентин АндреевичКулинич, О. А.Глауберман, Михаил АббовичЧемересюк, Георгий ГавриловичЯцунский, Игорь РостиславовичСминтина, Валентин АндрійовичКулініч, О. А.Глауберман, Михайло АбовичЧемересюк, Георгій ГавриловичЯцунський, Ігор Ростиславович2010-09-102010-09-102008Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/284Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.The near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення та характеристик кремнію.enTHE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMSИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ В СИСТЕМАХ КРЕМНИЙ – ДИОКСИД КРЕМНИЯДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ В СИСТЕМАХ КРЕМНІЙ – ДІОКСИД КРЕМНІЮArticle