Артеменко, О. С.Маслєєва, Наталія ВолодимирівнаПтащенко, Олександр ОлександровичПтащенко, Федір ОлександровичПтащенко, Александр АлександровичPtashchenko, Oleksandr O.2018-02-262018-02-262001Вісник Одеського національного університету = Odesa National University Heraldhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12925Досліджено вплив парів води, етилену, ацетону та аміаку на вольт-амперні характеристики р-n структур на основі GaAs, GaP, AlGaAs-GaAs. Струм, обумовлений адсорбцією NH3, лінійно залежав від напруги, що можна пояснити утворенням провідного поверхневого каналу. Вивчено кінетику зміни поверхневого струму при зміні газового середовища. Поверхневий струм лінійно залежав від тиску парів NH3, що можна використати для створення сенсора даних парів.Исследовано влияние паров воды, этилена, ацетона и аммиака на вольт-амперные характеристики р-n структур на основе GaAs, GaP, AlGaAs-GaAs. Ток, обусловленный адсорбцией NH3, линейно зависел от напряжения, что можно объяснить образованием проводящего поверхностного канала. Изучена кинетика изменения поверхностного тока при изменении газовой среды. Поверхностный ток линейно зависел от давления паров NH3, что можно использовать для создания сенсора данных паров.The effect of vapors of water, ethylene, acetone, and ammonia was investigated on the currcnt-voltage characteristics of р-n structures on GaAs, GaP, AlGaAs-GaAs. The current caused by the adsorption of NH3 linearly depended on the voltage, which can be explained by the formation of a conducting surface channel. The kinetics of the change in the surface current by the change of gas atmosphere was studied. The surface current linearly depended on the pressure of NH3 vapors, which can be used for creation of a sensor of these vapors.ukпари водиетиленацетонаміакр-n структурапары водыэтиленаммиакvapors of waterethyleneacetoneammoniaр-n structureArticle