Птащенко, Олександр ОлександровичПтащенко, Ф. О.Блажнова, О. А.Птащенко, Александр АлександровичPtashchenko, Oleksandr O.2013-12-022013-12-0220083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/40073-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.Досліджено вплив парів аміаку, води та етилену в навколишній атмосфері на стаціонарні вольт-амперні характеристики (ВАХ) прямого і зворотного струмів у р-n переходах на основі InGaN. Вимірювання проводилися на р-n структурах, оптимізованих для виготовлення світловипромінювальних діодів (СВД). Ширина забороненої зони потрійної сполуки в р-n структурах складала 2,46 еВ (для зелено-голубих СВД), 2,64 еВ ( для синіх СВД) і 3,1 еВ ( для фіолетових СВД). Парціальний тиск парів аміаку змінювався зміною концентрації NH3 у його водному розчині, над яким знаходився р-n перехід. Аналізувалась кінетика прямого і зворотного струмів у р-n переходах при зміні складу навколишньої атмосфериukр-n переходиInGaNпари аміакугазові сенсориArticle