Дали, Абдул КадерАли Нажи ДарвишоМалушин, Николай ВасильевичСердюк, Виктор ВасильевичСкобеева, Валентина МихайловнаСкобєєва, Валентина МихайлівнаSkobeeva, Valentyna M.2018-05-292018-05-291996Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16207Исследована примесная люминесценция эпитаксиальных пленок теллурида цинка, легированных алюминием в процессе роста из жидкой фазы. Показано, что атомы алюминия создают в теллуриде цинка два типа дефектов, которые ответственны за полосы люминесценции X = 0,58 и 0,61 мкм.ruтеллурид цинкапримесная люминесценция эпитаксиальных пленокArticle