Смынтына, Валентин Андреевич2012-10-152012-10-151983Физика и техника полупроводниковhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2609Физика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз.В результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале.ruArticle