Шершньов, Ігор Ігорович2023-11-022023-11-022023Шершньов, І. І. Вплив халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галію : дипломна робота бакалавра / І. І. Шершньов. – Одеса, 2023. – 30 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/36512Арсенід галію є одним з найбільш поширених напівпровідникових матеріалів сучасної електроніки. Світовою технологічною тенденцією є постійне зменшення розмірів електронних приладів на основі GaAs . При цьому ефекти, пов'язані з поверхневими явищами, стають більш вираженими. Зазвичай мінімізація їх негативного впливу на характеристики електронних пристроїв досягається за допомогою пасивації. Однією з перспективних методик у цьому напрямку є халькогенідна пасивація поверхні. Така обробка поєднує як хімічну, так і електронну пасивацію. Після халькогенідної пасивації поверхні повністю або часткове видаляються поверхневі оксиди, відбувається реконструкція поверхні та утворюється пасивуючий шар Ga2S3. Такі процеси супроводжуються зменшенням щільності поверхневих станів і зменшенням швидкості поверхневої рекомбінації. Це призводить до покращення характеристик напівпровідникових приладів на основі арсеніду галію. Незважаючи на велику кількість експериментальних робіт, досі відсутні систематичні дослідження процесів халькогенідної пасивації для різних концентрацій розчинника, різних тривалостях обробки. Відкритим також залишається питання локалізації центрів, які зникають після халькогенідної обробки.uk104 фізика та астрономіяосвітня програма фізика та астрономіяхалькогенідна обробкаструмарсенід галіюp-n переходиDiplomas