Смынтына, Валентин АндреевичСенкевич, А. И.Герасютенко, В. А.2012-07-312012-07-311989Журнал физической химииhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2567Журнал физической химии. - М. : Наука ; МАИК "Наука/Интерпериодика"Методами рентгеповской фотоэлектронной спектроскопии и масс-спектрометрии исследованы влияние отжига в вакууме и легирования на элемептный состав пленок селепида кадмия,соотношение собственных и примесных атомов.Обнаружено монотонное уменьшение относительного содержания селена с ростом толщины пленки. На поверхности пленок выявлены две формы хемосорбированного кислорода (с энергиями связи линии О 1s, равными 531,7 и 531,3 эВ),соответствующие молекулярной и атомарной формам его хемосорбции.Показано,что основные донорные дефекты: вакансии селена и атомы кадмия одновременно являются центрами хемосорбции атомарной и молекулярной форм кислорода соответственно.ruВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА КРИСТАЛЛИТАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯArticle