Сминтина, Валентин АндрійовичКулініч, О. А.Глауберман, Михаил АббовичГлауберман, Михайло АбовичGlauberman, Mykhailo A.2013-12-182013-12-1820083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/41183-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.На думку відомих фахівців, працюючих в провідних світових науково-виробничих підприємствах з виробництва елементів електронної техніки напівпровідниковий кремній, завдяки своїм електрофізичним, механічним та технологічним властивостям, буде залишатися основою для виробництва напівпровідникових пристроїв ще більш ніж 100 років. В наш час перехід від мікророзмірних елементів до нанорозмірних елементів пред’являє підвищені вимоги до якості напівпровідникових матеріалів.ukнапівпровідниковий кремнійнанорозмірні елементимікророзмірні елементіидефекти вихідного кремніюArticle