Смынтына, Валентин АндреевичТурецкий, А. Е.Чемересюк, Г. Г.2012-10-152012-10-151987Известия ВУЗов:Физикаhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2610Известия ВУЗов: Физика : Ежемесячный научный журнал / , Томский гос. ун-т . – 1958 . – На рус. яз.Изучен механизм изменения величины отношения фототока к темновому току (α=/ϕ//т) при взаимодействии с кислородом тонких пленок сульфида и селенида кадмия, полученных, соответственно, электрогидродинамическим распылением жидкости и термическим напылением в вакууме.Увеличение а может быть обусловлено не только уменьшением уровня темнового тока в результате хемосорбции кислорода на поверхности кристаллитов образцов, но и дополнительно к этому увеличением времени жизни фотоэлектронов в области пространственного заряда, приводящим к повышению фоточувствительности слоев.При этом происходит перераспределение рекомбинационных потоков на s- и r-центрах в сторону увеличения вклада r-центров. При определении роли кислорода в процессах очувствления полупроводников необходимо учитывать природу центров, ответственных за рекомбинационные процессы, а также отличия в составе поверхности слоев.ruArticle