Гевелюк, Сергей АнатольевичДойчо, Игорь КонстантиновичПрокопович, Людвиг ПетровичСавин, Д. П.2018-06-042018-06-041999Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16498Разработан метод получения пористого кремния при помощи лазерной абляции, состоящий в радиационном воздействии луча импульсного УФ лазера, сфокусированного на поверхности кремниевой пластины, которая может находиться в различных газовых средах. Образующийся на поверхности пластины пористый слой содержит кремниевые квантоворазмерные кластеры и их окисленные формы. Исследована структура полученных слоёв и измерены их спектры фотолюминесценции. Показано, что полученный пористый материал подобен слоям пористого кремния, создаваемым методом электрохимического травления, что обеспечивает новые технологические возможности при производстве оптоэлектронных приборов.ruпористый кремнийметод лазерной абляцииArticle