Терлецкая, Л. Л.Копыт, Николай ХарламовичГолубцов, Вячеслав ВасильевичТерлецька, Л. Л.Копит, М. Х.Голубцов, В. В.Terletskaya, L. L.Kopyt, Mykola Kh.Golubtsov, V. V.2012-02-032012-02-032010Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса,2010https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2239Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса,2010Рассмотрены особенности получения подложек GaAs с улучшенными структурными электрофизическими параметрами для сенсоров. Розработаны оптимальные технологические режимы процессов изотермической обработки и обработки исходных пластин в поле градиента температур, способствуюих значительному снижению плотности дислокаций и уменьшению объемной доли проводящих неоднородностей. Комплексное применение разработаных методов предназначено для оптимизации технологии получения подложек GaAs в производстве сенсоров и повышения их надежности.Розглянуто особливості отримання підкладинок GaAs з поліпшеними структурними та електрофізичними параметрами для сенсорів. Розроблено оптимальні режими процесів ізотермічної оброботки та обробки пластин у полі градієнта температур, що сприяють значному зменшенню щільності дислокацій та об'ємної частки провідних неоднорідностей. Комплексне застосування розроблених методів призначено для оптимізації технології отримання підкладинок GaAs у виробництві сенсорів з підвищеною надійністюсенсортехнологические режимыпроцессплотностьсенсортехнологічний режимпроцесщільністьОсобенности улучшения структурно-чувствительных параметров сенсоров на основе гетерогенных дисперсных системОсобливості поліпшування структурно-чутливих параметрів сенсорів на основі гетерогенних дисперсних системThe features of structure-sensitives parameters improvement of heterogeneous dispersion system-base sensorsArticle