Терлецкая, Л. Л.Копыт, Николай ХарламовичКалиниченко, Л. Ф.Терлецька, Л. Л.Копит, М. Х.Калініченко, Л. Ф.Голубцов, Вячеслав ВасильевичTerletskaya, L. L.Kopyt, Mykola Kh.Kalinichenko, L. F.Golubtsov, B. B.2014-03-272014-03-272012Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4758Физика аэродисперсных систем: межвед. научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012Установлена существенная слоистая неоднородность в приповерхностных областях полуизолирующего арсенида галлия после термического отжига при температурах, близких процессу жидкофазной эпитаксии. Показаны возможности оптимизации параметров подложек для получения на их основе малонапряженных эпитаксиальных структур с улучшенными функциональными свойствами.Визначено суттєву шарувату неоднорідність у приповерхневих областях пластин напівізолюючого арсеніду галлію nicля відпалy при температурах, близьких до процесу рідкофазової enimakciï. Показано можливість оптимізації napaмempiв підкладинок для отримання на ïx ocнoвi малонапруженних епітаксичних структур з покращеними функціональними властивостями.Considerable layered inhomogeneity in the near-surface region of semi-insulating GaAs substrates after thermal processing at the temperature LPE is established. The possibility of substrates parameters optimization is shown to obtain nonstrained epitaxial structures with improved functional properties.ruслоистая неоднородностьарсенида галлиятермический отжигпроцесс жидкофазной эпитаксиималонапряженные эпитаксиальные структурышарувата неоднорідністьарсеніду галліювідпалпроцес рідкофазової enimakciïмалонапруженні епітаксичні структуриlayered inhomogeneitysemi-insulating GaAs substratesthermal processingLPE is establishednonstrained epitaxial structuresArticle