Рохманов, Н. Я.Прохоров, Георгій ВалерійовичЛепіх, Ярослав ІллічГнап, А. К.Лепих, Ярослав ИльичLepikh, Yaroslav I.2018-09-082018-09-082003Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/18655Изучено поведение механического затухания модуля упругости и электрического сопротивления монокристаллов кремния с низкой плотностью дислокаций (10—100 см~2) при бомбардировке его а-частицами и предварительного облучения у-квантами. На амплитудных зависимостях внутреннего трения наблюдались три максимума, зависящих от вида и характера облучения, что связано с точечными радиационными дефектами и вакансионно-примесными центрами. Предложен механизм блокировки затухания, связанного с А-центрами.ruмонокристаллы кремниярадиационные дефектымикропластичность кремнияArticle