Ницук, Юрий Андреевич2018-06-042018-06-042002Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16502Исследованы электрофизические и люминесцентные свойства кристаллов ZnSe и Z n S e :In :Z n , отожженных в парах селена. Показано, что отжиг в селене приводит к инверсии типа проводимости. Дырочная проводимость кристаллов, отожженных в селене, контролируется акцепторами, в состав которых входят вакансии цинка, а также амфотерные примеси индия Іn5, локализованные в подрешетке селена. Увеличение ­ концентрации катионных вакансий приводит к разгоранию люминесценции и росту фотопро­водимости в области 460—480 нм.ruинверсиякристаллакцепторамфотерная примесьArticle