Матреницька, Юлія Борисівна2022-04-112022-04-112021Матреницька Ю. Б. Вплив режимів сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію : дипломна робота магістра. – Одеса, 2021. – 34 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/32740Сульфідна обробка призводить до зменшення щільності поверхневих станів напівпровідників групи А IIIВ V а також суттєво зменшує швидкість поверхневої рекомбінації. Це супроводжується покращенням багатьох фізико – хімічних властивостей GaAs та приладів на його основі. Зокрема, спостерігалося зменшення прямих і зворотних струмів діодів у предпробійній області, збільшувалися коефіцієнти підсилення біполярних транзисторів, зменшувався поріг лазерної генерації, покращувалися характеристики сонячних елементів. В той же час проведені дослідження не носили систематичний характер. Залишається невідомим вплив різних режимів сульфідної обробки на електричні і фотоелектричні характеристики GaAs.uk104 фізика та астрономіясульфідна обробкаспектри фотоструму p-n переходіварсенід галіюDiplomas