Курмашев, Шамиль ДжамашевичГрадобоев, А. А.2018-06-052018-06-051999Фотоэлектроника = PhotoelectronicsУДК 621.315.592https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16559Изучался полевой транзистор с инжекцией из истока на основе слоистого твердого раствора CdxHg1хТе. Показано, что параметр неоднородности базового материала влияет на вольт-амперную характеристику транзистора.ruполевой транзисторвольт-ампернакя характеристикаузкозонный полупроводникCdHgTeArticle