Курмашев, Ш. Д.Софронков, О. Н.Бугаева, Т. Н.Лавренова, Т. И.Дзюба, Н. С.Софронков, А. Н.Бугайова, Т. М.Лавренова, Т. І.Kurmashev, Sh. D.Sofronkov, A. N.Bugaeva, T. N.Lavrenova, T. I.Dzyuba, N. S.2013-04-232013-04-232012Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3644Рассмотрен процесс получения порошков SiC и Si3N4 с применением С02-лазера. Технология отличается тем, что используемые реагентные газы - силан и аммиак (для получения нитрида кремния) или этилен (для получения карбида кремния) пропускаются через луч С02-лазера. Получены мелкодисперсные, содержащие сферические частицы одинакового размера (монодисперсные), высокочистые, неагломерированные порошки SiC и Si3N4.Запропоновано процес отримання порошків S ІС і Si3N4 з використанням С02-лазера. Технологія відрізняється тим, що реагентні гази, що використовуються, - силан і аміак (для отримання нітриду кремнію) або етилен (для отримання карбіду кремнію) пропускаються через промінь С02-лазера. При цьому виходить високочистий, неагломерований, дрібнодисперсний порошок, що містить сферичні частинки однакового розміру (монодисперсний).The process of obtaining powders of SiC and Si3N4 with C02-laser has been studied. The technology differs in that the used reagent gases - silane and ammonia (for silicon nitride) or ethylene (for silicon carbide) are passed through the C02-laser beam. Fine agglomerated powders of high purity SiC and Si3N4 containing spherical particles of the same size (monodispersed) have been obtainedruкерамикакарбид кремниянитрид кремниякерамікакарбід кремніюнітрид кремніюceramicssilicon carbidesilicon nitrideArticle