Глауберман, Михайло АбовичГлауберман, Михаил АббовичGlauberman, Mykhailo A.Лепіх, Ярослав ІллічЛепих, Ярослав ИльичLepikh, Yaroslav I.Балабан, Андрій ПетровичБалабан, Андрей ПетровичBalaban, Andrii P.Снігур, Павло ОлексійовичСнегур, П. А.Snigur, Pavlo O.2021-01-042021-01-042020Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/30014Температурна нестабільність основних характеристик напівпровідникових датчиків є перешкодою їх підвищення, зокрема, роздільної здатності. В роботі розглянуті методи усунення цієї нестабільності датчиків на основі магніточутливих транзисторних структур при впливі на них температури. Методика зниження температурної нестабільності реалізується за допомогою включення в схему елементів, параметри яких залежать від температури та метод послаблення (компенсування) цього паразитного ефекту для двоколекторної магніточутливої транзисторної (ДМТ) структури завдяки спеціальному вибору зворотних зв'язків у схемі обробки сигналу.Temperature instability of the semiconductor gauge main characteristics is the obstacle to increase, in particular, their resolution. The paper considers methods for eliminating this instability in the gauges based on the magnetosensitive transistor structures. A technique for reducing temperature instability is realized by including into the circuit elements which parameters depend on temperature and weakening (compensating) this parasitic effect for two-collector magnetosensitive transistor (DMT) structure due to a special choice of feedback in the signal processing circuit.Температурная нестабильность основных характеристик полупроводниковых датчиков является препятствием их повышения, в частности, разрешающей способности. В работе рассмотрены возможности устранения этой нестабильности датчиков на основе магниточувствительных транзисторных структур при действии на них температуры. Методика снижения температурной нестабильности реализуется посредством включения в схему элементов, параметры которых зависят от температуры и ослабление (компенсации) этого паразитного эффекта для двухколлекторной магниточувствительной транзисторной (ДМТ) структуры благодаря специальному выбору обратных связей в схеме обработки сигнала.ukмагніточутливі транзисторні структуритемпературна нестабільністьстабілізація параметрівmagnetosensitive transistor structuretemperature instabilityparameter stabilizationмагниточувствительные транзисторные структурытемпературная нестабильностьстабилизация параметровArticle