Вашпанов, Юрий Александрович2018-05-302018-05-301996Фотоэлектроника = PhotoelectronicsУДК 537.311:621.396.69https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16326Представлены данные изучения фото- и газочувствительных параметров образцов пористого кремния, полученных методом анодного электрохимического травления кристаллического кремния в электролите на основе фтористо-водородной кислоты. Выявлена фоточувствительность ряда структур Por-Si к видимой области спектра и чувствительность к адсорбции паров аммиака и воды. Обсуждается возможный физический механизм влияния адсорбции газов на электрические и фотоэлектрические параметры материала.ruпористый кремнийизучения фото- и газочувствительных параметровфотоэлектрические параметры материалаArticle