Вашпанов, Юрий АлександровичСмынтына, Валентин Андреевич2018-05-312018-05-311999Фотоэлектроника = PhotoelectronicsУДК 621.315.592https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16364Рост давления кислорода в технологической камере при конденсации полупроводниковых пленок селенида кадмия приводит к увеличению проводимости образцов на 8 порядков величины, изменению кристаллической структуры материала и появлению кластеров кадмия на их поверхности. Чувствительность к кислороду имеет максимальное значение при давлениях порядка 0,1 Ра. Обсуждается физический механизм изменения электронных свойств и адсорбционной чувствительности к кислороду полученных слоев.ruдавление кислородатехнологическая камераселенид кадмияконденсация полупроводниковых пленок селенида кадмияувеличение проводимостиArticle