Ваксман, Юрий ФедоровичНицук, Ю. А.Пуртов, Ю. Н.2013-12-162013-12-1620083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/40853-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт. 2008.- 400 с.Полупроводниковые соединения А2В6, легированные переходными металлами, получили широкое распространение в качестве материалов для ИК-лазеров. В показана возможность использования Fe2+:ZnSe в качестве эффективного пассивного затвора для эрбиевого лазера, излучающего в области 2.79 мкм. В сообщается о создании лазера на кристаллах Fe2+:ZnSe, который работает при комнатной температуре. В этой связи, актуальными являются исследования, направленные на изучение оптических и люминесцентных свойств кристаллов ZnSe:Fe2+ruоптическое поглощение кристалловлюминесценция кристалловArticle