Смынтына, Валентин Андреевич2012-07-302012-07-301987Украинский физический журналhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2563Украинский физический журнал/ОНУ имени И. И. Мечникова. : 1987-рус.Вольт-амперные характеристики (ВАХ) предварительно отожженных при 670 К в вакууме(высокоомных)пленок CdSe, измеренные в атмосфере газовой смеси с объемными долями 0,8 N2, 0,2 02 в темноте были омичны до напряжений 1/<100 В, а при V>100 В появляется область отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) или насыщения тока /, за которым следует его сверхлинейное возрастание (рис. 1, кривая 1). Последующее понижение V сопровождалось умень¬шением / (рис. 1, кривая 2), а на зависимости /(V) наблюдались осо¬бенности, характерные для протекания токов, ограниченных простран¬ственным зарядом (ТОПЗ) в полупроводниках. Гистерезис ВАХ имеет место лишь в том случае, если измерения продолжались в области 1/>100 В.ruсопротивлениеселенида кадмияArticle