Маренков, Володимир ІллічМаренков, Владимир ИльичMarenkov, Volodymyr I.2013-12-022013-12-0220083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/40113-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.Перспективні розробки в області наносенсорної електроніки, орієнтовані на можливості нової елементної бази з використанням гетерогенних напівпровідникових матеріалів, висувають на передній план нагальну теоретичну проблему - створення нових прикладних методів моделювання та визначення ефективних електронних властивостей напівпровідників з мікровключеннями в об’ємі. Для наносенсорів та аналізаторів газових середовищ, визначальним (у сенсі механізму взаємодії реагента та чутливого елемента ) є зміна електронного спектру контактного шару, зумовлена локальними електричними полями, що діють на межі мікронеоднорідності базового матеріалу в об’ємі гетерогенного напівпровідника (ГН).ukгетерогенні напівпровідникинаносенсориоб’ємArticle