Khetselius, O. Yu.Gurnitskaya, Olena P.Loboda, Andriy V.Vitavetskaya, L. A.Хецелиус, Ольга ЮрьевнаГурницкая, Елена П.Лобода, А. В.Витавецкая, Л. A.Хецеліус, Ольга ЮріївнаГурницька, Олена П.Лобода, А. В.Вітавецька, Л. A.2010-09-102010-09-102008Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/287Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.The problems of calculation of the bound states energies for semiconductor superatom (spherical nucleus of some semiconductor material that is selectively doped by donors; it is surrounded by the intrinsic matrix from material with low band gap) and heavy quarkony in external strong electric field are considered. Ab initio effective potential approach in combination with the operator perturbation theory method is used in calculation. Рассмотрена проблема расчета энергий связан ных состояний систем: тяжелого кваркония и полупроводникового суператома (сферическое ядро полупроводникового материала, легирован ного донорами и окруженного беспримесной матрицей из материала с меньшей шириной запрещенной зоны) во внешнем сильном электрическом поле. Метод аb initio эффективного потенциала в комбинации с операторной теорией возмущений использован для расчетов. Розглянуто проблему розрахунку енергій зв’язаних станів систем: важкого кварконія та суператому (сферічне ядро впроводникового матеріалу, легірованого донорами та оточеного бездомішковою матрицею з матеріалу з меньшею шириною забороненої зони) у зовнішньому сильному електричному полі. Метод аb initio ефективного потенціалу у комбінації з операторною теорією збурень використано для розрахунків.enArticle