Терлецкая, Л. Л.Копыт, Николай ХарламовичГолубцов, Вячеслав Васильевич2010-10-212010-10-212003https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/977Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –Представлены результаты экспериментального исследования влияния различ- ных способов термообработки монокристаллов и эпитаксиальных структур ар- сенида галлия на поведение, концентрацию и объемную долю содержащихся в них некогерентных неоднородностей в виде мелкодисперсных легкоплавких мик- ровключений галлия. Показана возможность практического применения движе- ния мелкодисперсных микровключений и пути улучшения качества полупровод- никовых структур. Представлено результати експериментального дослідження впливу різних способів термообробки монокристалів та епітаксійних структур арсеніду галію на поведінку, концентрацію та об ємну частку некогерентних неодно- рідностей у вигляді дрібнодисперсних легкоплавких мікровключень галію. Показано можливість практичного застосування руху дрібнодисперсних мікровключень та шляхи поліпшення якості напівпровідникових структур. Results of experimental study of the influence of different heat treating approaches to gallium arsenide single crystals and epitaxial structures on the behavior, concentration and the volume part of incoherent inhomogeneities in the form of fine-dispersated fusible gallium inclusions, are presented. It is shown the possibility of practical application of the motion of fine dispersated micro-inclusions and ways of the quality improvement for semiconductor structures are demonstrated.Article