Дойчо, Игорь КонстантиновичМаому, Ф. Э.Ройзин, Я. О.2018-05-302018-05-301996Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16294Определены пороговые дозы у-облучения, при которых наблюдаются деградационные изменения в a-Si:H. Показано, что у-излучение приводит к повышению однородности электрических параметров на фоне общего ухудшения нагрузочных кривых. Результаты интерпретируются в рамках представлений о разрыве Si-H связей под действием мощных излучений.ruоблучениесолнечная батареяаморфный гидрированный кремнийa-Si:HArticle