Кругляк, Ю. А.Кругляк, Н. Е.Кругляк, Ю. О.Кругляк, Н. Ю.Kruglyak, Yu. A.Kruglyak, N. E.2012-03-052012-03-052011Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystemhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2268Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт,2011 - T.2(8)3,- рус.Диаграмма зарядовой стабильности одноэлектронного полевого транзистора на молекуле бензола в качестве проводящего канала в режиме кулоновской блокады рассчитана из первых принципов. Энергии ионизации молекулы вычислялись квантовомеханически по теории функционала плотности, взаимодействие молекулы бензола с ее окружением в реалистической модели транзистора учитывалось самосогласовано.Діаграма зарядової стабільності одноелектронного польового транзистора на молекулі бензолу в якості провідного каналу в режимі кулонівської блокади розрахована з перших принципів. Енергії заряджання молекули обчислювалися по квантовомеханічній теорії функціонала щільності, взаємодія молекули з її довкіллям в реалістичній моделі транзистора враховувалася самоузгоджено.The first-principle methods for calculating the charging molecular energies and charge stability diagram of the benzene molecule single-electron transistor under the Coulomb blockade regime were applied using the density-functional theory for modeling molecular properties and continuum model to describe SET environment as well as a self-consistent approach to treat the interaction between the molecule and the SET environment.ruмолекулярная электроникаполевой транзисторкулоновская блокадабензолSETMS-SETDFTмолекулярна електронікапольовий транзисторкулонівська блокадабензолSETMS-SETDFTmolecular electronicsfield transistorCoulomb blockadebenzeneSETMS-SETDFTArticle