Vaksman, Yurii F.Nitsuk, Yurii A.Yatsun, V. V.Purtov, Yu. N.Nasibov, A. S.Shapkin, P. V.Ваксман, Юрий ФедоровичНицук, Юрий АндреевичЯцун, В. В.Пуртов, Юрий НиколаевичНасибов, А. С.Шапкин, П. В.Ваксман, Юрій ФедоровичЯцун, В. В.Пуртов, Юрій МиколайовичНасибов, О. С.Шапкін, П. В.Ніцук, Юрій Андрійович2010-09-102010-09-102009Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/270Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.ZnSe single crystals with diffusion doping of Mn have been investigated. Absorption, luminescence and photoconductivity of ZnSe: Mn crystals have been studied and analyzed in the visible region of the spectrum. Concentration of Mn impurity was estimated from absorption edge. The electron transition scheme in ZnSe:Mn was proposed. Исследованы монокристаллы ZnSe:Mn, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности, фотолюминесценции и фотопроводимости в видимой области. По величине смещения края поглощения определена концентрация марганца в исследуемых кристаллах. Построена схема оптических переходов в кристаллах ZnSe:Mn. Досліджено монокристали ZnSe:Mn, отримані методом дифузійного легування. Проведені дослідження спектрів оптично ї густини, фотолюмінесценції та фотопровідності в видимій області. По зміщенню краю поглинання визначено концентрац ії марганцю в досліджуваних кристалах. Побудована схема оптичних переходів в кристалах ZnSe:Mn.endiffusion dopingoptical-densityphotoluminescencephotoconductivityintracenter transitionдиффузионное легированиеоптическая плортностьфотолюминесценцияфотопроводимостьвнутрицентровые переходыдифузійне легуванняоптична густинафотолюмінесценціяфотопровідністьвнутріцентрові переходиArticle