Мокрицкий, В. А.Лепих, Ярослав ИльичКурицын, Е. М.Банзак, О. В.Мокрицький, В. А.Лепіх, Ярослав ІллічКуріцин, Є. М.Банзак, О. В.Mokritsky, V. A.Lepikh, Yaroslav I.Kuritsyn, E. M.Banzak, O. V.2010-09-082010-09-082008Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіeshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/223Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2008.Исследована радиационная стойкость параметров датчиков ИК-излучения к облучению электронами с энергией 2,3 и 3,0 МэВ. На основе известной теории работы фоторезисторов показана связь радиационной стойкости их параметров с электрофизическими свойствами эпитаксиальных слоев кремния, используемых для изготовления таких приборов. Исследованы изменения концентрации и подвижности носителей заряда в условиях облучения разных систем “слой-подложка”. Предлагается объяснение причин таких изменений и условия проектирования радиационно стойких приборов. Досліджено радіаційну стійкість параметрів датчиків ІЧ- випромінювання до опромінення електронами з енергією 2,3 й 3,0 Мев. На основі відомої теорії роботи фоторезисторів показаний зв’язок радіаційної стійкост і їхніх параметрів з електрофізичними властивостями епітаксиальних шарів кремнію, що використовуються для виготовлення таких приладів. Досліджено зміни концентрації й рухливост і носіїв заряду в умовах опромінення різних систем “шар-підкладка”. Пропонується пояснення причин таких змін й умови проектування радіаційно стійких приладів. Radiating stability of parameters gauges of IR-radiation an irradiation electrons with energy 2,3 and 3,0 ÌåV is investigated. On the basis of the known theory work of photoresistors communication of radiating stability of their parameters with electrophysical properties epetacselition the layers of silicon used for manufacturing of such devices is shown. Changes of concentration and mobility of carriers a charge in conditions of an irradiation different systems “layer-substrate” are investigated. The explanation of the reasons of such changes and conditions of designing radiation proof devices is offered.радиацияэлектронэпитаксиальный слойфотоответрадиационная стойкостьрадіаціяелектронепітаксійний шарфотовідгукрадіаційна стійкістьradiationelectronepetacselition layerphotoanswerradiating stabilityArticle