Ваксман, Юрий ФедоровичВашпанов, Юрий АлександровичНицук, Ю. А.Пуртов, Ю. Н.Шапкин, П. В.2018-01-312018-01-312000Вісник Одеського національного університету = Odesa National University Heraldhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12655Досліджено температурну залежність с.р.с. Холла в кристалах ZnSe:In+Zn. Розраховано концентрацію електронів па їх рухомість в інтервалі температур 120^-400 К. Виявлено зменшення енергії активації донорів Гп^,, від 26 т еВ ( в кристалах ZnSe:In ) до 11 т еВ (в крисга- лах ZnSe:In+Zn), обумовлене екрануванням іонів донорних домішок вільними електронами. Встановлено, що розсіяння електронів в досліджуваних кристалах спричиняється повздовжніми LO-фононами та макродефектами індію.Исследована температурная зависимость э.д.с. Холла в кристаллах ZnSe:In+Zn. Рассчитаны концентрация электронов и их подвижность в интервале те.мператур 120-^400 К. Обнаружено уменьшение энергии активации доноров In^n от 26 т эВ ( в кристаллах ZnSe:In ) до 11 т эВ (в кристаллах ZnSe:In-t-Zn), обусловленное экранированием ионов донорных примесей свободными электронами. Показано, что рассеяние электронов в исследуемых кристаллах обусловлено продольными LO-фононами и макродефектами индия.The temperature dependence o f the Hail electromotive force in ZnSe:In-i-Zn crystals is investigated. Are calculated an electron concentration and their mobility in temperature range 120-5-400 K. The decrease o f an activation energy o f the donors In^n from 26 meV ( in ZnSe:In crystals ) to llm eV (in ZnSe:In-HZn crystals) stipulated by screening of ions o f donor impurities by free electrons is revealed. Is exhibited that longitudinal LO-phonons and macrodefects o f indium stipulate the scattering o f electrons in investigated cry'stals.ruМеханизмы рассеяния электроновКристаллы селенида цинкаЛегирование индиемArticle