Мокрицкий, В. А.Завадский, В. А.Ленков, С. В.Лепих, Ярослав ИльичБанзак, О. В.Mokritsky, V. A.Zavadsky, V. A.Lenkov, S. V.Lepikh, Yaroslav I.Banzak, O. V.Мокрицький, В. А.Завадський, В. А.Лєнков, С. В.Лепіх, Ярослав ІллічБанзак, О. В.2010-09-082010-09-082009Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystemhttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/230Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт - 2009.Исследованы радиационные эффекты, возникающие в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при облучении быстрыми электронами и нейтронами. Проведен сравнительный анализ их влияния на электрофизические параметры соединения GaAs. The radiating effects arising in epitaxial layers of gallium arsenide at an irradiation fast electrons and neutrons are investigated. The comparison analyses of their influence on electrophysical parameters of compound GaAs. Досліджені радіаційні ефекти, що виникають в епітаксіальних шарах арсені- ду галія при опроміненні швидкими електронами і нейтронами. Проведено порівняльний аналіз їх впливу на електрофізичні параметри сполуки GaAs.радиацияэпитаксиальный слойрадиационная стойкостьарсенид галлияradiationepitaxial layerradiating resistancegallium arsenideрадіаціяепітаксійний шаррадіаційна стійкістьарсенід галіяArticle