Аджалілов, Мурат Курсаітович2023-11-022023-11-022023Аджалілов, М. К. Вплив халкогенідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі GaAs : дипломна робота бакалавра / М. К. Аджалілов. – Одеса, 2023. – 27 с.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/36506Зменшення розмірів сучасних напівпровідникових пристроїв збільшує вплив поверхневих явищ на їхні характеристики. Через це виникає необхідність покращення стану поверхні, яке відбувається при усуненні дефектів та оксидів з поверхні та її захисту від впливу зовнішніх чинників. Сульфідна обробка поверхні є одним з методів, який дозволяє в одному технологічному циклі виконати як хімічну, так і електронну пасивацію поверхні. Незважаючи на велику кількість наукових досліджень, немає систематичних досліджень, які були б присвячені порівнянням впливів короткотривалої і довготривалої обробки на зміну характеристик напівпровідникових приладів одного виду.uk104 фізика та астрономіяосвітня програма фізика та астрономіяхалькогенідна обробкахалькогенідна пасиваціяфотострумдіодиDiplomas