Iatsunskyi, Igor R.Яцунский, Игорь РостиславовичЯцунський, Ігор Ростиславович2013-03-122013-03-122012Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/3391Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2012. - англ.The dislocation self-organization processes in near-surface silicon layers of Si-SiO2 during high temperature oxidization have been investigated. It was observed the complex destruction of these layers caused by relaxation of mechanical stresses. We have proposed the defect formation mechanism of near-surface layers in Si-SiO2 structure. For self-organization processes to be explained, the synergetic method was applied. It was shown that the formation of periodical dislocation structures at the interface is a consequence of the spatial instability of the dislocation distribution in the crystal, their self-organization due to correlation effects between the oxygen diffusing along structural defects and an ensemble of dislocationsПроцессы самоорганизации дислокаций в приповерхностных слоев кремния в Si-Si02 при высокотемпературном окислении были исследованы в данной работе. Было определено, что появление сложной дефектной структуры вызвано релаксацией механических напряжений. Было предложено механизм образования дефектов в приповерхностных слоях Si-Si02. Процессы самоорганизации объясняется, в рамках синергетического метода. Было показано, что формирование периодической структуры дислокации на границе является следствием пространственной неустойчивости распределения дислокаций в кристалле, их самоорганизации за счет корреляций между кислородом, который распространяется вдоль структурных дефектов и ансамбля дислокацийПроцеси самоорганізації дислокацій в приповерхневих шарів кремнію в Si-Si02 при високотемпературному окисленні були досліджені в даній роботі. Було визначено, що поява складної дефектної структури викликано релаксацією механічних напружень. Було запропоновано механізм утворення дефектів у приповерхневих шарах Si-Si02. Процеси самоорганізації пояснюється, в рамках синергетичного методу. Було показано, що формування періодичної структури дислокації на границі є наслідком просторової нестійкості розподілу дислокацій в кристалі, їх самоорганізації за рахунок кореляцій між киснем, що поширюється уздовж структурних дефектів та ансамблю дислокаційendislocationsself-organizationSi-SiO2 structureдислокациисамоорганизацияструктура Si-Si02дислокаціїсамоорганізаціяструктура Si-Si02Article