Курмашев, Шамиль ДжамашевичВикулин, Иван МихайловичСидорец, Р. Г.Софронков, А. Н.2018-06-042018-06-042002Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16480Обсуждается инжекция носителей заряда в поверхностно-барьерных структурах Ni-Sі : Au при прямом смещении в приближении термоэлектронной эмиссии — диффузии Показано, что коэффициент инжекции у может быть достаточно большим при на­личии диэлектрической прослойки (Sі О2) между металлом и полупроводником. Повыше­ние удельного сопротивления исходного материала и снижение температуры так же собствует росту у.ruинжекциядиффузиякоэффициентдиэлектрическая прослойкаArticle