Викулин, И. М.Викулина, Л. Ф.Курмашев, Ш. Д.2010-09-242010-09-242010Сенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-4) = SENSORS ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS TECHNOLOGY” ) = (SEMST-4)https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/576Сенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-4) = SENSORS ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS TECHNOLOGY” ) = (SEMST-4) : 4- та Мiжнар. наук.-техн. конф., 28 червня - 2 липня 2010 р.; Одеса: тези доповідей / НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, ОНУ iм. I. I. Мечникова, Українське фізичне товариство [та ін.]. – Одеса: Астропринт, 2010. – укр., рос., англ.Рассмотрены конструкции и экспериментальные характеристики датчиков неэлектрических величин (температура, магнитное поле, свет, давление) на основе однопереходного транзистора, работающего в схеме генератора релаксационных колебаний. Выходным параметром датчиков является частота колебаний, определяемая величиной соответствующего воздействия. Обсуждается принцип работы частотного преобразователя на однопереходном транзисторе (ОПТ). Генератор релаксационных колебаний на основе ОПТ представляет интерес как прибор, имеющий минимальное число составляющих элементов. Использование частоты как информативного сигнала позволяет избежать применения усилительных устройств и аналого-цифровых преобразователей при обработке информации, что снижает себестоимость систем радиоконтроля и радиоуправления.Thesis