Алешин, Алексей НиколаевичБурлак, А. В.Мандель, Владимир ЕфимовичПастернак, Валерий АлександровичТюрин, Александр ВалентиновичЦукерман, В. Г.Тюрін, Олександр ВалентиновичTyurin, Oleksandr V.2018-06-062018-06-061999Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16615Исследованы фотоэлектричекие свойства слоев сульфида свинца, полученных методами химического осаждения и пульверизации. Установлено, что фотоэлектрические свойства в пленках сульфида свинца, изготовленных обоими методами, определяются наличием в этих пленках потенциальных барьеров для носителей тока. Выявлено, что потенциальные барьеры формируются на межзеренных границах оксидными фазами, причем метод химического осаждения создает сравнительно тонкие оксидные барьеры, а метод пульверизации — толстые. Показано, что условии, ответственные за формирование таких барьеров в методе пульверизации сравнительно просто поддаются управлению, что дает возможность регулировать в технологическом процессе будущие параметры устройств.ruсульфид свинцаметод химического осажденияметод пульверизациифотоэлектрические свойстваArticle