Kulinich, O. A.Smyntyna, Valentyn A.Glauberman, Mykhailo A.Chemeresiuk, Heorhii H.Yatsunskiy, I. R.Кулініч, О. А.Сминтина, Валентин АндрійовичГлауберман, Михайло АбовичЧемересюк, Георгій ГавриловичЯцунський, Ігор РостиславовичКулинич, О. А.Смынтына, Валентин АндреевичГлауберман, Михаил АббовичЧемересюк, Георгий ГавриловичЯцунский, Игорь Ростиславович2010-09-102010-09-102006Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/283Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.The model of current flow process simulation in metal-silicon structures with used modern method of investigation within the limits of thermo-electric, drift-diffusion and tunnel-resonant theories and it bases on barrier properties of structural defects. В роботі на основі проведених досліджень за допомогою сучасних методів запропонована фізико-математична модель струмопереносу в структурах метал-кремній в межах термоелектронної, дрейфово-дифузіоної та тунельно- резонансних теорій і основана на бар'єрних властивостях структурних дефектів. В данной роботе на основе исследований, проведенных с помощью современных методов, предложена физико- математическая модель токопереноса в структурах металл-кремний в рамках термоэлектронной, дрейфово-дифузио- ной и туннельно-резонансных теорий и она основана на барьерных свойствах структурных дефектов.ensiliconmetalmodelcurrentdislocationкремнійметалмоделюванняструмопереноскремнийметаллмоделированиетокопереносArticle